Darmstadt, GSI - Entwicklung und Fertigung von SiC Gap-Schaltern

Rahmenvertrag für die Entwicklung und Fertigung von schnellen Halbleiter-Gapschaltern auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC). Diese dienen dem Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in Synchrotron- und Speicherringen für die Impedanzreduktion. Der Auftrag umfasst die Erstellung von Berichten (Conceptual Design Report, Final Design Report), die Fertigung von Prototypen, First-of-Series und Serienmodellen sowie die dazugehörige Hardware, Software/Firmware und Dokumentation. Eine Einbauerklärung bzw. Konformitätserklärung ist ebenfalls zu erstellen. Die Schalter werden im Dauerbetrieb im Beschleunigertunnel eingesetzt und müssen hohen Spannungen, Strömen und Strahlenexposition standhalten.